ПАРАМЕТРЫ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ:
|
Средний прямой ток (IFAV) при Tc= 123 °C, А
|
200
|
— при Tc= 100 °C, А
|
310
|
Действующий прямой ток (IFRMS) при Tc= 123 °C, А
|
310
|
Ударный прямой ток (IFSM) при Tj= Tj max, 180 эл. град. синус, 50 Гц, tp= 10 мс, единичный импульс, UR= 0 В, кА
|
7,5
|
Импульсное прямое напряжение (UFM) при Tj= 25 °C, IFM= 628 А не более, В
|
1,4
|
Пороговое напряжение (UF(TO)) при Tj= Tj max не более, В
|
0,8
|
Динамическое сопротивление (rT) не более, мОм
|
1,05
|
БЛОКИРУЮЩИЕ ПАРАМЕТРЫ:
|
Повторяющееся импульсное обратное напряжение (URRM) в соответствии с классом диода, В
|
1000 ÷ 1800
|
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение (URSM) при 180 эл. град. синус, 50 Гц, единичный импульс, В
|
1100 ÷ 1900
|
Постоянное обратное напряжение (UR), В
|
0,75
|
Повторяющийся импульсный обратный ток (IRRM) при Tj= Tj max, мА
|
25
|
ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
|
Тепловое сопротивление p-n переход-корпус (Rthjc) при постоянном токе не более, °C/Вт
|
0,1
|
Температура p-n перехода (Tj), °C
|
-60 ÷ +150
|
|
